EDO & Fast Page Mode DRAM

·Extended Data-Out (EDO) or Fast Page Mode (FPM) option\n·TTL compatible inputs and outputs:5V ± 10% and 3.3V ± 10%\n·Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden\n·Byte Write and Byte Read operation via two CAS\n·Industrial temperature range: -40°C to +85°C\n·Long-Term Support

ISSI

矽成半导体

Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc