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IS41C8200中文资料北京矽成数据手册PDF规格书

IS41C8200
厂商型号

IS41C8200

功能描述

2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

159.03 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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IS41C8200规格书详情

DESCRIPTION

TheISSI IS41C8200 and IS41LV8200 are 2,097,152 x 8-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelarated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-bit word.

FEATURES

• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle

• TTL compatible inputs and outputs

• Refresh Interval: -- 2,048 cycles/32 ms

• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• Single power supply: 5V±10 or 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrial temperature range -40°C to 85°C

产品属性

  • 型号:

    IS41C8200

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全称:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    2M x 8(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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