IS41C16256集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS41C16256
参数属性	IS41C16256 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），40 引线；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP
功能描述	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
封装外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），40 引线
文件大小	153.38 Kbytes
页面数量	19 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-10-14 12:03:00
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IS41C16256规格书详情

DESCRIPTION

TheISSI IS41C16256 and IS41LV16256 are 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 and IS41LV16256 ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs

• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms

• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply

5V ± 10 (IS41C16256)

3.3V ± 10 (IS41LV16256)

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Extended Temperature Range -30oC to 85oC

• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC

产品属性

产品编号：
IS41C16256C-35TLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - EDO
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），40 引线
供应商器件封装：
40-TSOP
描述：
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

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