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IS41C16128-40T	文件：221.88 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41C16128 is a 131,072 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. The IS41C16128 offers an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 256 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16- bit word. T 文件：221.88 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16128-40TI	文件：221.88 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41C16128 is a 131,072 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. The IS41C16128 offers an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 256 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16- bit word. T 文件：221.88 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16128-40K	文件：221.88 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41C16128 is a 131,072 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. The IS41C16128 offers an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 256 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16- bit word. T 文件：221.88 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16128-40KI	文件：221.88 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41C16128 is a 131,072 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. The IS41C16128 offers an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 256 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16- bit word. T 文件：221.88 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS41C16128-40T
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
128K x 16(2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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