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IS41C16100-60K	文件：123.63 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41C16100 and IS41LV16100 are 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 文件：123.63 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100-60K	文件：169.53 Kbytes Page：23 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 文件：169.53 Kbytes 页数：23 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100-60KI	文件：123.63 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41C16100 and IS41LV16100 are 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 文件：123.63 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100-60KI	文件：169.53 Kbytes Page：23 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 文件：169.53 Kbytes 页数：23 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100-60KL	文件：169.53 Kbytes Page：23 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 文件：169.53 Kbytes 页数：23 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41C16100-60KLI	文件：169.53 Kbytes Page：23 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 文件：169.53 Kbytes 页数：23 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS41C16100-60K
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
1M x 16(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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