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IS34MW01G164中文资料NAND Flash数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS34MW01G164

参数属性

IS34MW01G164 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

NAND Flash

封装外壳

63-VFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:08:00

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IS34MW01G164规格书详情

描述 Description

·Single Power Supply Operation
·Cost Effective Sector/Block Architecture
·Low standby current 1uA (Typ)
·Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible
·Page Program (up to 256 Bytes) Operation
·Sector, Block or Chip Erase Operation
·Low Power Consumption
·Hardware/Software Write Protection
·Industry Standard Pin-out and Packages
·Superior Endurance: Min 20 years after 100K cycles

技术参数

  • 产品编号:

    IS34MW01G164-BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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