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IS25WP080D-JBLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

文件:1.65219 Mbytes 页数:108 Pages

ISSI

矽成半导体

IS25WP080D-JBLE

Package:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP080D-JBLE-TR

Package:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP080D-JKLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

文件:1.65219 Mbytes 页数:108 Pages

ISSI

矽成半导体

IS25WP080D-JNLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

文件:1.65219 Mbytes 页数:108 Pages

ISSI

矽成半导体

IS25WP080D-JTLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

文件:1.65219 Mbytes 页数:108 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS25WP080D-JBLE

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O,QPI,DTR

  • 写周期时间 - 字,页:

    800µs

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI(美国芯成)
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SOIC-8-208mil
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更多IS25WP080D-JBLE供应商 更新时间2025-10-6 8:00:00