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IS25WP016D-JLLE集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
IS25WP016D-JLLE |
| 参数属性 | IS25WP016D-JLLE 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON |
| 功能描述 | SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE |
| 文件大小 |
1.97941 Mbytes |
| 页面数量 |
114 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
| 中文名称 | ISSI有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-22 17:11:00 |
IS25WP016D-JLLE规格书详情
IS25WP016D-JLLE属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS25WP016D-JLLE存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
IS25WP016D-JLLE
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
FLASH - NOR
- 存储容量：
16Mb（2M x 8）
- 存储器接口：
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
- 写周期时间 - 字，页：
800µs
- 电压 - 供电：
1.65V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-WSON（8x6）
- 描述：
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
2021+ |
SOIC-8 |
647 |
询价 | |||
ISSI(美国芯成) |
1921+ |
SOIC-8 |
3575 |
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ISSI |
2022+ |
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ISSI-矽成 |
24+25+/26+27+ |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
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8-WDFN 裸露焊盘 |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
8-WSON6x8 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
8-WSON6x8 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2117+ |
SOIC-8 |
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ISSI |
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