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IS25WE512M-RMLE-TY

Package:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 512MB 1.8V SPI 16SOIC

Nearson

IS25WE512M

SERIAL FLASH MEMORY 133/112MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE WITH ON-CHIP ECC

FEATURES • Industry Standard Serial Interface - IS25LE512M: 512Mbit/64Mbyte - IS25WE512M: 512Mbit/64Mbyte - 3 or 4 Byte Addressing Mode - Supports Standard SPI, Fast, Dual, Dual I/O, Quad, Quad I/O, SPI DTR, Dual I/O DTR, Quad I/O DTR, and QPI - Software & Hardware Reset - Supports Serial

文件:2.46214 Mbytes 页数:189 Pages

ISSI

矽成半导体

IS25WQ040-JNLE-TR

SOP8

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

IS2801-4

SOP-16-4.4mm

ISOCOM(英国安数光)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

ISOCOM(英国安数光)

IS2801-4

SOP-16-4.4mm

ISOCOM(英国安数光)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

ISOCOM(英国安数光)

产品属性

  • 产品编号:

    IS25WE512M-RMLE-TY

  • 制造商:

    Nearson Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O,QPI,DTR

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,1ms

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    IC FLASH 512MB 1.8V SPI 16SOIC

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更多IS25WE512M-RMLE-TY供应商 更新时间2025-11-10 18:46:00