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IS24C64B-2GI	文件：132.61 Kbytes Page：17 Pages	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM DESCRIPTION The IS24C32A/B and IS24C64A/B are electrically erasable PROM devices that use the standard 2-wire interface for communications. The IS24C32A/B and IS24C64A/B contain a memory array of 32K bits (4K x 8) and 64K-bits (8K x 8), respectively. Each device is organized into 32 byte pages fo 文件：132.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS24C64B-2GLI	文件：132.61 Kbytes Page：17 Pages	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM DESCRIPTION The IS24C32A/B and IS24C64A/B are electrically erasable PROM devices that use the standard 2-wire interface for communications. The IS24C32A/B and IS24C64A/B contain a memory array of 32K bits (4K x 8) and 64K-bits (8K x 8), respectively. Each device is organized into 32 byte pages fo 文件：132.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS24C64B-2PI	文件：132.61 Kbytes Page：17 Pages	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM DESCRIPTION The IS24C32A/B and IS24C64A/B are electrically erasable PROM devices that use the standard 2-wire interface for communications. The IS24C32A/B and IS24C64A/B contain a memory array of 32K bits (4K x 8) and 64K-bits (8K x 8), respectively. Each device is organized into 32 byte pages fo 文件：132.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS24C64B-2PLI	文件：132.61 Kbytes Page：17 Pages	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM DESCRIPTION The IS24C32A/B and IS24C64A/B are electrically erasable PROM devices that use the standard 2-wire interface for communications. The IS24C32A/B and IS24C64A/B contain a memory array of 32K bits (4K x 8) and 64K-bits (8K x 8), respectively. Each device is organized into 32 byte pages fo 文件：132.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS24C64B-2GI
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 1.8V 64Kb Industrial Temp
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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