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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOP-8

8548

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8

12816

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市华来深电子有限公司

11年 留言
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INFINEONSOP8

22536

23+

进口原装现货,假一罚十,价格优惠

深圳市宝隆宏业科技有限公司

7年 留言
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IRSOP8

8903

2021+

诚信经营..品质保证..价格优势

迈思希姆半导体(江苏)有限公司

5年 留言
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InternationalRectifier8-SOIC

11846

1818+

深圳良洲科技有限公司

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INFINEONNA

5000

23+

原装现货,实单价格可谈

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRS4428STRPBF

Infineon Technologies8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

27081

23+

1+
:¥0.888

英飞凌电源管理芯片-原装正品

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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IRSOP8

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRna

65790

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

瀚佳科技(深圳)有限公司

4年 留言
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Infineon Technologies8-SOIC

65200

21+

一级代理/放心采购

深圳市晴轩时代电子有限公司

6年 留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8N

8800

21+

公司只作原装正品

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IR(国际整流器)NA/

8735

23+

原厂直销,现货供应,账期支持!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOP8

7350

23+

现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!

深圳市弘扬芯城科技有限公司

1年 留言
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Infineon(英飞凌)SOIC8

6000

23+

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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IRSOP8

6528

2016+

房间原装进口现货假一赔十

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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    王先生/刘小姐

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    深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518

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IRSOP8

990000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳兆威电子有限公司

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    张先生

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    广东深圳龙岗区坂田街道中兴路11号城市山海中心C栋606-608

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IRSOP-8

90000

20+

全新原装正品/库存充足

深圳市冠亿通科技有限公司

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Infine

25000

21+

原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

深圳市振宏微科技有限公司

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    深圳市华强北街道上步工业区305栋C02室

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Infineon/英飞凌SOIC-8N

25630

23+

原装正品

深圳市恒佳微电子有限公司

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    朱先生(只做原装 可开13%票!)

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INFINEON/英飞凌

37500

21+

十年专营原装现货,假一赔十

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IRS4428STRPBF价格

IRS4428STRPBF价格:¥4.4757品牌:IR

生产厂家品牌为IR的IRS4428STRPBF多少钱,想知道IRS4428STRPBF价格是多少?参考价:¥4.4757。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRS4428STRPBF批发价格及采购报价,IRS4428STRPBF销售排行榜及行情走势,IRS4428STRPBF报价。

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IRS4428STRPBF功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Drvr Low Voltage RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IRS4428STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    6V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2.3A,3.3A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,25ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC