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厂商型号

IRS2608DS

参数属性

IRS2608DS 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

电平移位门极驱动
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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IRS2608DS规格书详情

描述 Description

600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

特性 Features

·Floating channel designed for bootstrap operation
·Fully operational to +600 V
·Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
·Gate drive supply range from 10 V to 20 V
·Undervoltage lockout for both channels
·3.3 V, 5 V and 15 V logic compatible
·Cross-conduction prevention logic
·Matched propagation delay for both channels
·High side output in phase with HIN input
·Low side output out of phase with LIN input
·Internal 540 ns deadtime
·Lower di/dt gate driver for better noise immunity
·Integrated Bootstrap Diode
·Suitable for both trapezoidal and sinusoidal motor control

简介

IRS2608DS属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS2608DS栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

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  • 产品编号:

    IRS2608DSTRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    200mA,350mA

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    150ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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