IRS2118STRPBF集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号	IRS2118STRPBF
参数属性	IRS2118STRPBF 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
功能描述	SINGLE CHANNEL DRIVER
封装外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
文件大小	902.78 Kbytes
页面数量	26 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2025-10-4 10:10:00
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IRS2118STRPBF规格书详情

描述 Description

The IRS2117, IRS21171, and IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which operates up to 600 V.

IC Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational to +600V

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20V

• Undervoltage lockout

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Output in phase with input

• RoHS compliant

• IRS2117 and IRS2118 available in PDIP8

产品属性

产品编号：
IRS2118STRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
75ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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