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IRS21171S中文资料电平移位门极驱动数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRS21171S

参数属性

IRS21171S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

电平移位门极驱动
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRS21171S规格书详情

描述 Description

600 V High Side Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

特性 Features

·Floating channel designed for bootstrap operation
·Fully operational to +600 V
·Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
·Gate drive supply range from 10 V to 20 V
·Undervoltage lockout for both channels
·CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
·Outputs in phase with inputs (IRS21171 and IRS2117 )
·Outputs out of phase with inputs (IRS2118 )

简介

IRS21171S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS21171S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IRS21171STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    75ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/INFINEON
24+
NA/
3285
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
Infineon(英飞凌)
24+
SOP8
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
IR
22+
SOP-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
IR
24+
SOP
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
Infineon
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
International Rectifier
2023+
8-SOIC
285
安罗世纪电子只做原装正品货
询价
IR
09+08+
SOP8
614
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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INFINE0N
21+
SOIC 8N
32568
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IR
1007PB
SOP8
2587
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