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IRS2113MPBF

HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER

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Infineon

英飞凌

IRS2113MPBF

HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER

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IRF

IRS2113MPBF

HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER

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IRS2113MPBF_15

HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER

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IRF

IRS2113MTRPBF

HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER

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IRF

IRS2113M

具有关断功能的 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC

600 V High and Low Side Driver IC with typical 2.5 A source and 2.5 A sink currents in MLPQ 4X4 14L package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP and 16 Lead SOICWB. • Floating gate driver designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 V to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V logic compatible\n• Separate logic supply range from 3.3 V to;

Infineon

英飞凌

IRS2113MPBF

Package:16-VFQFN 裸露焊盘,14 引线;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ

Infineon

英飞凌

IRS2113MTRPBF

Package:16-VFQFN 裸露焊盘,14 引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2113MPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    6V,9.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2.5A,2.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,17ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘,14 引线

  • 供应商器件封装:

    16-MLPQ(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon Technologies
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更多IRS2113M供应商 更新时间2025-12-16 14:38:00