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IRS2005MTRPBF	文件：1.98248 Mbytes Page：19 Pages	High and Low Side Driver Description The IRS2005 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTT 文件：1.98248 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRS2005MTRPBF	文件：2.44748 Mbytes Page：19 Pages	High and Low Side Driver Description The IRS2005 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTT 文件：2.44748 Mbytes 页数：19 Pages	IRF	IRF
IRS2005MTRPBF	文件：1.86443 Mbytes Page：19 Pages	High and Low Side Driver 文件：1.86443 Mbytes 页数：19 Pages	IRF	IRF
IRS2005MTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IRS2005MTRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
70ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
14-MLPQ（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ

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