IRLZ44Z中文资料PDF规格书
IRLZ44Z规格书详情
Description
Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRLZ44Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
TO-220 |
68900 |
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IR |
23+ |
TO-220-3 |
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IR |
2020+ |
TO-220AB |
16800 |
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询价 | ||
IR |
08+(pbfree) |
TO-220AB |
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IR/VISHAY |
2022 |
TO-220 |
80000 |
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IR |
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1 |
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IR |
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NA/ |
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IR/VISHAY |
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TO-220 |
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IR/VISHAY |
23+ |
TO-220 |
6000 |
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22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
