| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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4000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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stTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TH/韩国太虹TO-252 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-252 |
1391 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
9990 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IRTO-252D |
26000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
1000 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
IRLR2703TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR2703TR图片
IRLR2703TRPBF价格
IRLR2703TRPBF价格：￥1.9518品牌：International
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IRLR2703TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR2703TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR2703TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 22A 45mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR2703TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR2703TRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
