| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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VISHAYTO-252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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VISHAYTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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IRTO252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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16年
留言
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IRTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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16年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
2000 |
26+ |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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17年
留言
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IRD-Pak |
8866 |
24+ |
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10年
留言
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VISHAY原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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16年
留言
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ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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10年
留言
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VISHAY原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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1年
留言
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IRTO-252 |
13920 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
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12年
留言
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IRD-PAK |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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19年
留言
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IRTO-252 |
31657 |
2019+ |
全新 发货1-2天 |
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12年
留言
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VISHAYTO-252 |
69850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IRLR110图片
IRLR110TRPBF价格
IRLR110TRPBF价格：￥1.2788品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRLR110TRPBF多少钱，想知道IRLR110TRPBF价格是多少？参考价：￥1.2788。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR110TRPBF批发价格及采购报价，IRLR110TRPBF销售排行榜及行情走势，IRLR110TRPBF报价。
IRLR110中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR110功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLR110ATF功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110ATM功能描述:MOSFET N-CH/LL/100V/4.7A/0.4OHM@VGS=5V/Substitute of IRLR110TM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110PBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110TR功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110TRL功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR110TRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
