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深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRTO-252

80000

24+

只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市创新迹电子有限公司

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3年 留言

IRTO-252

20000

22+

公司只做原装 品质保障

深圳市能元时代电子有限公司

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10年 留言

VISHAYTO-252

32772

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市赛美科科技有限公司

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12年 留言

IRTO-252

5350

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市恒达亿科技有限公司

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IRTO-252

4500

25+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

千层芯半导体(深圳)有限公司

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IRTO-252

30617

24+

一级代理全新原装热卖

深圳市一线半导体有限公司

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17年 留言

IRSOT252

15000

24+

深圳市川科科技有限公司

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7年 留言

VISHAY-威世TO-252-3

9328

24+25+/26+27+

1
+:¥14.2
1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

上海金庆电子技术有限公司

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IRTO-252

804

1442+

全新 发货1-2天

芯有半导体(深圳)有限公司

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18年 留言

IR原厂原装

6051

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市信科微科技有限公司

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IRTO-252

5652

26+

原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单

艾睿(深圳)半导体有限公司

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IRTO252

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-252

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRTO-252

7000

23+

深圳市诺美思科技有限公司

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VISHAY原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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VishayDPAK

12300

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市华来深电子有限公司

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IRTO-252

8560

23+

受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市威雅利发展有限公司

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VISHAYTO252

1940

0819+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO252

150

2022+

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IRLR024TRPBF价格

IRLR024TRPBF价格:¥2.4518品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRLR024TRPBF多少钱,想知道IRLR024TRPBF价格是多少?参考价:¥2.4518。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLR024TRPBF批发价格及采购报价,IRLR024TRPBF销售排行榜及行情走势,IRLR024TRPBF报价。

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IRLR024TR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR024TRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR024TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR024TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR024TRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件