| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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3年
留言
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IRTO-252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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10年
留言
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VISHAYTO-252 |
32772 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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12年
留言
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IRTO-252 |
5350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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8年
留言
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IRTO-252 |
30617 |
24+ |
一级代理全新原装热卖 |
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17年
留言
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IRSOT252 |
15000 |
24+ |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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19年
留言
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IRTO-252 |
804 |
1442+ |
全新 发货1-2天 |
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18年
留言
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IR原厂原装 |
6051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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1年
留言
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IRTO-252 |
5652 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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5年
留言
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IRTO252 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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4年
留言
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IRTO-252 |
7000 |
23+ |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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VishayDPAK |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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8年
留言
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VISHAYTO252 |
1940 |
0819+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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IRTO252 |
150 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
IRLR024TR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLR024TR图片
IRLR024TRPBF价格
IRLR024TRPBF价格:¥2.4518品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRLR024TRPBF多少钱,想知道IRLR024TRPBF价格是多少?参考价:¥2.4518。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLR024TRPBF批发价格及采购报价,IRLR024TRPBF销售排行榜及行情走势,IRLR024TRPBF报价。
IRLR024TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR024TR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024TRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR024TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024TRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件


























