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IRLML6402GPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:184.83 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6402GTRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:188 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6402GTRPBF

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.08254 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRLML6402GPBF

采用无卤素 Micro3 封装的 -20V 单 P 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRLML6402G

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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SOT-23
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更多IRLML6402G供应商 更新时间2025-12-13 9:04:00