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IRL3705ZSPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705	文件：260.269 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI3705	文件：107.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705N	文件：107.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705N	文件：299.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI3705NPBF	文件：1.36774 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705NPBF	文件：1.3687 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705Z	文件：286.6 Kbytes Page：11 Pages	SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705Z	文件：335.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3705ZPBF	文件：346.53 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRL3705NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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