选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 263 |
161154 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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12200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
1 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6099 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
8618 |
0731+ |
只做原装正品 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
16371 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220 |
844 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
45 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
IRL2703采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL2703图片
IRL2703PBF价格
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IRL2703 IR TO220 N沟道 MOS管 30V 24A
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL270330V24ATO220IR
IRL2703中文资料Alldatasheet PDF
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IRL2703S功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2703STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2703STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件