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KBJ1004G	文件：354.21 Kbytes Page：3 Pages	10AmpGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KBJA1004	文件：505.44 Kbytes Page：3 Pages	10AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KBJL1004G	文件：247.88 Kbytes Page：2 Pages	10AmpGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KBP1004	文件：220.92 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier ■Features ●Io10.0A ●VRRM50V~1000V ●Glasspassivatedchip ●Highsurgeforwardcurrentcapability ■Applications ●Generalpurpose1phaseBridgerectifierapplications	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
KBPC1004	文件：14.97 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER FEATURES •Surgeoverloadrating:200Apeak •Highcasedielectricstrength •Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlengthat5lbstension	SSE Shanghai Sunrise Electronics	SSE
KBPC1004	文件：47.34 Kbytes Page：3 Pages	10AHIGHCURRENTBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC1004	文件：124.72 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPS.SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Ampere FEATURES Surgeoverloadrating60amperespeak Lowforwardvoltagedrop Smallsize,simpleinstallation LeadssolderableperMIL-STD-202,method208	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
KBPC1004	文件：215.79 Kbytes Page：2 Pages	10A/15A/25A/35ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE? Features •Surgeoverload200-400Amperespeak •Lowforwardvoltagedrop •MountingPosition:Any •Electricallyisolatedbase-180Volts •Solderable.25FASTONterminals •MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
KBPC1004	文件：145.72 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER Features •PlasticCase •LowForwardVoltage •AnyMountingPosition •SilverPlatedCopperLeads •SurgeOverloadRatingOf150Amps	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
KBPC1004	文件：370.62 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-10Amperes FEATURES •Surgeoverloadrating:200Amperespeak •Lowforwardvoltagedrop	DCCOM Dc Components	DCCOM

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详细参数

型号：
IRL1004L
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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