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IRHNJ57133SE

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

文件:178 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRHNJ57133SE

Simple Drive Requirements

文件:183.43 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRHNJ57133SE_15

Simple Drive Requirements

文件:183.43 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRHNJ57133SE

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRHNJ57133SE

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 130V 20A 3SMD-0.5 - Rail/Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
22+
SMD-0.5
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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23+
SMD-0.5
8000
专注配单,只做原装进口现货
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23+
SMD-0.5
7000
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90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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2447
NA
100500
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更多IRHNJ57133SE供应商 更新时间2025-12-24 10:02:00