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IRGPH40分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGPH40
厂商型号

IRGPH40

参数属性

IRGPH40 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FAST 1200V 29A TO-247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)

封装外壳

TO-247-3

文件大小

255.03 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:30:00

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IRGPH40规格书详情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

• Switching-loss rating includes all tail losses

• Optimized for medium operating frequency (1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

产品属性

  • 产品编号:

    IRGPH40F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,17A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT FAST 1200V 29A TO-247AC

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