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IRGP6630DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:692.19 Kbytes 页数:13 Pages

IRF

IRGP6630DPBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

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IRF

IRGP6630D

600V UltraFast Co-Pack IGBT in a TO-247 package

Infineon

英飞凌

IRGP6630D-EPBF

Package:TO-247-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 30A TO247AD

Infineon

英飞凌

IRGP6630DPBF

Package:TO-247-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 47A TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP6630DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,18A

  • 开关能量:

    75µJ(开),350µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/95ns

  • 测试条件:

    400V,18A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 47A TO247AC

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更多IRGP6630D供应商 更新时间2025-11-5 8:36:00