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IRGP4065DPBF	文件：344.59 Kbytes Page：7 Pages	PDP TRENCH IGBT Description This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperatu 文件：344.59 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRGP4065DPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PDP TRENCH IGBT	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4065DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 70A 160W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4065PBF	文件：317.08 Kbytes Page：7 Pages	PDP TRENCH IGBT Description This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temp 文件：317.08 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRGS4065PBF	文件：785.49 Kbytes Page：9 Pages	PDP TRENCH IGBT Description This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on)and low EPULSE™ rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperatu 文件：785.49 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
LP4065	文件：397.39 Kbytes Page：8 Pages	800mA Single Chip Li-Ion and Li-Polymer Charger 文件：397.39 Kbytes 页数：8 Pages	POWER 微源半导体	POWER

产品属性

产品编号：
IRGP4065DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，70A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/170ns
测试条件：
180V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 300V 70A 160W TO247AC

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