首页>IRGB10B60KD>规格书详情

IRGB10B60KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGB10B60KD
厂商型号

IRGB10B60KD

参数属性

IRGB10B60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 22A 156W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-220-3

文件大小

324.07 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-3 9:03:00

人工找货

IRGB10B60KD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRGB10B60KD规格书详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB10B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    140µJ(开),250µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/230ns

  • 测试条件:

    400V,10A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 22A 156W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
IR
24+
65230
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
60000
全新原装现货
询价
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-220AB
8000
只做原装支持实单,有单必成。
询价
IR
20+
TO-220
180
进口原装现货,假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
询价
IR
17+
TO-220
6200
100%原装正品现货
询价