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IRG8P60N120KDPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:684.05 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG8P60N120KDPBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

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IRG8P60N120KDPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

Infineon

英飞凌

IRG8P60N120KD-EPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 100A TO247AD

Infineon

英飞凌

IRG8P60N120KDPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC

Infineon

英飞凌

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更多IRG8P60N120KD供应商 更新时间2025-11-3 14:46:00