选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
1523 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRD-PAK |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEOND-Pak |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IORTO-252 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD-Pak |
2000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1523 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IORTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IOR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRG4RC10STR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4RC10STR图片
IRG4RC10STR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10STR功能描述:IGBT STD 600V 14A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10STRL功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10STRR功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IRG4RC10STR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,8A
- 开关能量:
140µJ(开),2.58mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/630ns
- 测试条件:
480V,8A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 14A 38W DPAK