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IRFZ44VZS	文件：298.5 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ44VZS	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFZ44VZSPBF	文件：355.65 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A ) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRF International Rectifier	IRF

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IRFZ44VZS

文件：298.5 Kbytes

Page：12 Pages

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro

IRF

International Rectifier

IRF

IRFZ44VZS

文件：299.42 Kbytes

Page：2 Pages

Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFZ44VZSPBF

文件：355.65 Kbytes

Page：13 Pages

HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )

Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom

IRF

International Rectifier

IRF

详细参数

型号：
IRFZ44VZS
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFZ44VZS供应商更新时间2025-7-4 16:20:00

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