IRFZ44VZS
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ44VZS
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Isc N-Channel MOSFET Transistor
ISCInchange Semiconductor Company Limited
Inchange Semiconductor Company Limited
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HEXFET庐 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m惟 , ID = 57A )
IRFInternational Rectifier
英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ44VZS
IR
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IRFZ44VZS
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IRFZ44VZS功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ44VZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 57A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ44VZSPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ44VZSTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
