IRFZ24NL数据手册Infineon中文资料规格书
IRFZ24NL规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Surface Mount (IRFZ24NS)
• Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
技术参数
- 型号：
IRFZ24NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+/25+ |
3500 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
24+ |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220 |
16898 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
ADVINRMOTZET |
23+ |
TO/263 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
