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JCS640C-O-C-N-B	文件：1.20429 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS640FH-O-F-N-B	文件：1.41136 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS640H	文件：1.41136 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS640VH-O-V-N-B	文件：1.41136 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCT640	文件：220.72 Kbytes Page：1 Pages	SCRChip	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JMP640A	文件：616.447 Kbytes Page：9 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

详细参数

型号：
IRFW640BTM
功能描述：
MOSFET 200V N-Ch B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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