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IRFU3303规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3303)
● Straight Lead (IRFU3033)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRFU3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
05+ |
TO-251 |
12000 |
原装进口 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-251 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
35890 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
414 |
询价 | |||
IR |
2403+ |
TO-251 |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
询价 | ||
IR |
2023+ |
I-PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
