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HEXFET Power MOSFET 文件：313.67 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：313.67 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：313.67 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
IRFS3006-7P | 采用 D2-Pak 7 引脚封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性\n• 具备完全特性化的电容和雪崩安全工作区（ SOA）\n• 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRFS3006-7P
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 200nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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TO-263-7 |
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IR |
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TO-263-7 |
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更新时间2025-11-3 13:00:00
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