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IRFS23N20D规格书详情
SMPS MOSFET
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
产品属性
- 型号：
IRFS23N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501351 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO263 |
72148 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP263 |
609 |
询价 | |||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
询价 |
