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IRFR9120NPBF中文资料PDF规格书

IRFR9120NPBF
厂商型号

IRFR9120NPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48廓 , ID = -6.6A )

文件大小

262.32 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 20:06:00

IRFR9120NPBF规格书详情

HEXFET® Power MOSFET

产品属性

  • 型号:

    IRFR9120NPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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