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IRFU9014PBF	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU9014PBF	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9014PBF	文件：972.98 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU9014PBF	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
ISL9014	文件：220.46 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014	文件：217.83 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL9014A	文件：214.59 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR ISL9014AisahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwo	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014A	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014A	文件：606.33 Kbytes Page：13 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR ISL9014AisahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
IRFR9014TRR
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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