IRFR4105中文资料PDF规格书
IRFR4105规格书详情
• DESCRITION
• Fast Switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤45mΩ
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IRFR4105
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
3542 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
IR |
1415+ |
TO-252 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D-Pak |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
5587 |
原装现货库存 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
SOT252 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
询价 | ||
IRFR4105 |
2927 |
2927 |
询价 | ||||
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
询价 |
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