IRFR3806中文资料PDF规格书
IRFR3806规格书详情
Features
* VDS (V)=60V
* RDS(ON) 15.8m (VGS = 10V)
Benefits
* Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
* Fully Characterized Capacitance and
Avalanche SOA
* Enhanced body diode dV/dt and dI/dt
Capability
产品属性
- 型号:
IRFR3806
- 功能描述:
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
22+ |
TO-252 |
1304 |
原装现货假一赔十 |
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NA |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
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IR |
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IR |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
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IR |
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IR |
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TO-252 |
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