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KBPC3504	文件：718.15 Kbytes Page：1 Pages	35AMPSILICONBRIDGERECTIFIER Features ●Ratingto1000VPRV ●400Amperessurgecapability ●Highefficiency ●Electricallyisolatedmetalcaseformaximumheatdissipation ●ULrecognized:File#E106441	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
KBPC3504	文件：150.47 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENT15,25,35,50AMPS.SINGLEPHASEBRIDGERECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
KBPC3504	文件：231.39 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT35.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features •DiffusedJunction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto400APeak •ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximum HeatDissipation •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
KBPC3504	文件：78.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:35.0A FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto400Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202m	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KBPC3504	文件：273.89 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE:50Vto1000V FORWARDCURRENT:35A Features •Lowpowerloss,highefficiency •Lowreverseleakagecurrent •MountingPosition:Any	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
KBPC3504	文件：923.2 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE15/25/35/50AMPS.SILICONBRIDGERECTIFIERS VoltageRange50to1000VoltsCurrent50Amperes FEATURES ULRecognizedFile#230084 Surgeoverloadrating-400Amperesepeak Lowforwardvoltagedrop Mountingposition:Any Electricallyisolatedbase-1800Volts Solderable.25FASTONterminals *MaterialsusedcarriesU/Lrecog	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
KBPC3504	文件：99.39 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT35Amperes FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboard •Highisolationvoltagefromcasetoleads •Hightemper	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
KBPC3504	文件：609.93 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:35.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:35.0A FEATURE Surgeoverloadrating:400Apeak Highcasedielectricstrength 1/4”Universalfastonterminal andφ40mllead-wireavailable	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
KBPC3504	文件：41.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
KBPC3504	文件：216.59 Kbytes Page：2 Pages	Highforwardsurgecurrentcapability VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT35Amperes FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboard •Highisolationvoltagefromcasetoleads •Hightemper	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

详细参数

型号：
IRFR3504ZTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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