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IRFU2407PBF	文件：385.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
KA2407	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	LinearIntergratedCircuit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LM2407	文件：1.08347 Mbytes Page：13 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM2407	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM2407T	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
M2407	文件：409.82 Kbytes Page：4 Pages	28(7/36)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
MC2407	文件：95.78 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications Description TheMC2407isadoublebalancedmixer,designedforuseinmilitary,commercialandtestequipmentapplications.ThedesignutilizesSchottkyringquaddiodesandbroadbandsoftdielectricandferritebalunstoattainexcellentperformance.Thismixercanalsobeusedasaphasedet	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MC2407	文件：244.97 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MGF2407	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF2407A	文件：369.05 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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详细参数

型号：
IRFR2407TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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