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IRFR224TRRPBF	文件：368.2 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：368.2 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFU224	文件：175.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A) 文件：175.21 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFU224	文件：853.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave solderig techniques. The str 文件：853.71 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFU224	文件：3.37389 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave solderig techniques. The str 文件：3.37389 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

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