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IRFR1N60A_V01

Power MOSFET

FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPL

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国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

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更多IRFR1N60A_V01供应商 更新时间2025-12-2 14:00:00