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IRFR18N15D中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IRFR18N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
400 |
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IR |
2016+ |
TO-252 |
3000 |
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IR |
13+ |
TO-252 |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
25+23+ |
TO-252 |
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Infineon/英飞凌 |
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DPAK |
6820 |
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IR |
25+ |
DPAK |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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IR |
24+ |
TO-252 |
19 |
询价 |
