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PE3810LF	文件：279.03 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYSMAMALETOSMBPLUG	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PST3810	文件：66.6 Kbytes Page：10 Pages	ICforCMOSSystemResetMonolithicIC	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
R3810	文件：30.61 Kbytes Page：4 Pages	SUPERCOMPACTPHOTOMULTIPLIERTUBES SuperCompact,13mm(1/2Inch)Diameter,9-stage,Side-onType R3810:Sb-Cs(185to650nm),R3811:Multialkali(185to850nm) FEATURES ●SuperCompact:13mm(1/2inch)diameter 17mmseatedlength ●HighSensitivity ●LowDarkCurrent APPLICATIONS ●GeneralInd	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
R3810P	文件：21.21 Kbytes Page：2 Pages	SUPERCOMPACTPHOTOMULTIPLIERTUBE SUPERCOMPACTPHOTOMULTIPLIERTUBE ForSinglePhotonCounting,DarkCounts5cpsTyp.at25°C13mm(1/2Inch)Diameter,9-stage,BialkaliPhotocathode,Side-OnType185to650nmSpectralResponse,GeneralPurposeVariantofR3810	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
RSB-3810	文件：3.8938 Mbytes Page：6 Pages	MediaTekGenio1200CortexA78&A552.5SBCwithUIO40-Express Features MediaTekGenio12004coresA78&4coresA55 OnboardLPDDR48GB,4000MT/smemory HDMI4k60fps,1xDualChannel24bitLVDS 1x4-wireRS-232/422/485,2xUSB3.2Gen1By1,2xUSB2.0, 1xMicroSD,1xMic.in/Lineout 1xM.23052KeyBfor5G,1xM.22230KeyESlot	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
SKU3810	文件：390.72 Kbytes Page：2 Pages	ADAPTADORDEENCAPSULADOMSOP10ADIP10PINES Descripción AdaptadordeprogramaciónICWellsparaelpaqueteMSOP10	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
SOC3810HRG	文件：359.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-Hard60V,0.05APNPdualmatchedtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCandJANSqualified •Upto100krad(Si)lowdoserate Description 2N3810KandSOC3810HRaresiliconplanarPNPdualmatchedtransistors packagedinFlat-8andLCC-6respectivelyandavailablein100kradversions.They arespecificallydesignedforaero	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SOC3810HRT	文件：359.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-Hard60V,0.05APNPdualmatchedtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCandJANSqualified •Upto100krad(Si)lowdoserate Description 2N3810KandSOC3810HRaresiliconplanarPNPdualmatchedtransistors packagedinFlat-8andLCC-6respectivelyandavailablein100kradversions.They arespecificallydesignedforaero	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SOC3810HRTW	文件：359.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-Hard60V,0.05APNPdualmatchedtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCandJANSqualified •Upto100krad(Si)lowdoserate Description 2N3810KandSOC3810HRaresiliconplanarPNPdualmatchedtransistors packagedinFlat-8andLCC-6respectivelyandavailablein100kradversions.They arespecificallydesignedforaero	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SOC3810RHRG	文件：359.79 Kbytes Page：14 Pages	Rad-Hard60V,0.05APNPdualmatchedtransistor Features •Hermeticpackages •ESCCandJANSqualified •Upto100krad(Si)lowdoserate Description 2N3810KandSOC3810HRaresiliconplanarPNPdualmatchedtransistors packagedinFlat-8andLCC-6respectivelyandavailablein100kradversions.They arespecificallydesignedforaero	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
IRFPS3810
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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