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IRFP250NPBF	文件：208.74 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250NPBF	文件：186.2 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250NPBF	文件：2.8601 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250NPBF	文件：272.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP250NPBF_15	文件：186.2 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250PBF	文件：3.34495 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250PBF	文件：1.86389 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheTO-220packageisuniversiallypreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerleve	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP250PBF	文件：2.40596 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi200V,32AN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250PBF	文件：1.49088 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS250	文件：654.34 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRFP250NPB
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFP250NPB供应商更新时间2025-5-29 13:30:00

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