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IRFM360	文件：514.669 Kbytes Page：7 Pages	400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：372.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFM360	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs and JFETs;	TT ElectronicsTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TT Electronics
IRFM360	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiRel MOSFETs; \n优势:\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFM360_15	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360SCX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single channel high reliability power MOSFETs; \n优势:\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IRFM360
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 23A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 35A, TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
35A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
200mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
3;RoHS
Compliant：
No

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