IRFI9520G中文资料HEXFET POWER MOSFET数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFI9520G
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-3 全封装,隔离接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO220F |
7350 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
89630 |
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IR |
24+ |
TO 220F |
161098 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
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IR |
22+ |
TO-220F |
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IR |
24+ |
NA/ |
115 |
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VISHAY |
2016+ |
TO220 |
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VISHAY/威世 |
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TO220-3 |
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